應用領域

RCA清洗，沉積前清洗，蝕刻后清洗，CMP后清洗，濕法刻蝕，EPI前清洗等晶圓

尺寸：50~300mm

工藝指標

蝕刻均勻性：片內：≤3%；片間：≤3%；批次間：≤3%；

顆粒控制：增加值<20顆@0.2微米

金屬離子：<5E10 atoms/cm2

設備配置

2-6個清洗工位（單工位的全自動版本開發中）

全自動潔凈晶圓機械手

中央化學藥液供應系統：CDS，支持化學液

加熱控制，濃度控制，流量控制，壓力控制等

兆聲波清洗系統30W：0.1微米以下顆粒

酸、堿、有機液排風分離

支持化學液回收

高清攝像頭，純水防靜電裝置（可選）

全面支持SECS/GEM通訊協議